大工19春《模拟电子技术》在线作业1（含答案）

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大工19春《模拟电子技术》在线作业1
1.[单选题]测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、2.2V,则该管()。
奥鹏作业答案
奥鹏大连理工大学作业

    A.处于饱和状态
    B.处于放大状态
    C.处于截止状态
    D.已损坏
    正确答案:——B——
2.[单选题]测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V,则该管为()。    奥鹏在线作业答案

    A.NPN型锗管
    B.PNP型锗管
    C.PNP型硅管
    D.NPN型硅管
    正确答案:——B——
3.[单选题]反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能()。
    A.越好
    B.越差
    C.无变化
    D.不确定
    正确答案:——A——
4.[单选题]在共射、共集和共基三种基本放大电路中,输出电阻最小的是()放大电路。
    A.共射极
    B.共集电极
    C.共基极
    D.不确定
    正确答案:————
5.[单选题]对PNP型晶体管来说,当其工作于放大状态时,()极的电位最低。
    A.发射极
    B.基极
    C.集电极
    D.不确定
    正确答案:————
6.[单选题]硅二极管的完全导通后的管压降约为()。
    A.0.1V
    B.0.3V
    C.0.5V
    D.0.7V
    正确答案:————
7.[单选题]引起共射极放大电路输出波形出现饱和失真的主要原因是()。
    A.输入电阻太小
    B.静态工作点偏低
    C.静态工作点偏高
    D.输出电阻太小
    正确答案:————
8.[单选题]晶体管能够放大的外部条件是()。
    A.发射结正偏，集电结反偏
    B.发射结正偏，集电结正偏
    C.发射结反偏，集电结正偏
    D.发射结反偏，集电结反偏
    正确答案:————
9.[单选题]在掺杂半导体中,少子的浓度受()的影响很大。
    A.温度
    B.掺杂工艺
    C.杂质浓度
    D.晶体缺陷
    正确答案:————
10.[单选题]温度升高,晶体管的管压降│Ube│()。
    A.增大
    B.减小
    C.不变
    D.不确定
    正确答案:————
11.[判断题]N型半导体带正电。
    A.对
    B.错
    正确答案:————
12.[判断题]射极输出器无放大功率的能力。
    A.对
    B.错
    正确答案:————
13.[判断题]当环境温度升高时,二极管的正向电压将降低。
    A.对
    B.错
    正确答案:————
14.[判断题]与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能高。
    A.对
    B.错
    正确答案:————
15.[判断题]对于电压放大器来说,输出电阻越小,电路的带负载能力越强。
    A.对
    B.错
    正确答案:————
16.[判断题]利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的交流参数。
    A.对
    B.错
    正确答案:————
17.[判断题]温度升高,晶体管输入特性曲线右移。
    A.对
    B.错
    正确答案:————
18.[判断题]温度升高,晶体管输出特性曲线上移。
    A.对
    B.错
    正确答案:————
19.[判断题]阻容耦合多级放大电路不能抑制零点漂移。
    A.对
    B.错
    正确答案:————
20.[判断题]当环境温度升高时,二极管的死区电压将升高。
    A.对
    B.错
    正确答案:————
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