一、单选题:
1.增强型功率MOSFET的输入阻抗最高可达( )。 (满分:3)
A. 105Ω
B. 108Ω
C. 1010Ω
D. 1015Ω
2.晶闸管的阳极伏安特性是指晶闸管阳极电流和( )之间的关系曲线。 (满分:3)
A. 阴极电压
B. 阳极电压
C. 阴极电流
D. 阳极电阻
3.三相桥式全控整流电路宽脉冲触发要求触发脉冲的宽度大于( )。 (满分:3)
A. 30°
B. 45°
C. 60°
D. 90°
4.晶闸管的电流容量越大,要求的触发功率( )。 (满分:3)
A. 越小
B. 越大
C. 不变
D. 无关
5.半桥式变换电路适用于输出功率范围为( )的变换电路。 (满分:3)
A. 数百瓦至数千瓦
B. 数千瓦至数万瓦
C. 数万瓦至数十万瓦
D. 数十万瓦至数百万瓦
6.晶闸管的门极触发电流从门极流入晶闸管,从( )流出。 (满分:3)
A. 阳极
B. 阴极
C. 正极
D. 负极
7.开关电源的效率通常可达( )以上。 (满分:3)
A. 75%
B. 80%
C. 85%
D. 90%
8.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下的区段,温度系数( )。 (满分:3)
A. 大于0
B. 小于0
C. 大于1
D. 小于1
9.GTO和GTR为( )驱动型器件。 (满分:3)
A. 电流
B. 电压
C. 电阻
D. 电抗
10.驱动损耗是指器件在开关过程中消耗在控制极上的功率及在导通过程中维持一定的控制极( )所消耗的损耗。 (满分:3)
A. 电压
B. 电流
C. 电阻
D. 电抗
二、多选题:
1.脉宽调制的方法可分为:( )。 (满分:4)
A. 单极性调制
B. 双极性调制
C. 三极性调制
D. 多极性调制
2.三相交-交变频电路接线形式有:( )。 (满分:4)
A. 公共交流母线进线方式
B. 输出星形联结方式
C. 输入星形联结方式
D. 单母线方式
3.IGBT的静态特性主要包括:( )。 (满分:4)
A. 转移特性
B. 输出特性
C. 输入特性
D. 电阻特性
4.谐波的危害有:( )。 (满分:4)
A. 发电机、输电变压器发热增加
B. 对晶闸管装置产生干扰
C. 交流电动机的铁耗铜损增加
D. 影响精密仪器测量精度
5.零开关PWM电路可分为:( )。 (满分:4)
A. 零电压开关PWM电路
B. 零电流开关PWM电路
C. 零电阻开关PWM电路
D. 零电抗开关PWM电路
6.晶闸管的换流方式有:( )。 (满分:4)
A. 电网换流
B. 负载换流
C. 强迫换流
D. 循环换流
7.常用的SPWM波形成方法有:( )。 (满分:4)
A. 自然采样法
B. 数字控制法
C. 模拟控制法
D. 采用SPWM专用集成芯片
8.变频通常的方式有:( )。 (满分:4)
A. 交-直-交变换器
B. 交-交变换器
C. 交-直变换器
D. 直-交-直变换器
9.常用的电流型变换电路有:( )。 (满分:4)
A. 单相桥式变换电路
B. 三相桥式变换电路
C. 单相整流电路
D. 三相整流电路
10.电力MOSFET的主要参数有:( )。 (满分:4)
A. 漏极电压
B. 漏极直流电流
C. 栅源电压
D. 极间电容
三、判断题:
1.三相半波整流电路与单相半波整流电路相比,输出电压脉动小,输出功率大。( ) (满分:3)
A. 错误
B. 正确
2.当晶闸管的额定电压小于应用要求时,可以把两个以上同型号的晶闸管串联起来进行使用。( ) (满分:3)
A. 错误
B. 正确
3.负载阻抗角表示负载中电压超前电流的角度。( ) (满分:3)
A. 错误
B. 正确
4.电力二极管是以半导体PN结为基础的。( ) (满分:3)
A. 错误
B. 正确
5.交-交变频电路的缺点为:接线复杂,使用的晶闸管数量多。( ) (满分:3)
A. 错误
B. 正确
6.在单相可控整流电路中,晶闸管从承受正向电压起到触发导通之间的电角度为控制角。( ) (满分:3)
A. 错误
B. 正确
7.1947年,美国的贝尔实验室发明了晶体管,引发了电子技术的一场革命。( ) (满分:3)
A. 错误
B. 正确
8.将3个单相调压器接在对称的三相交流电源上,让其互差120°相位工作,构成了一个三相交流调压电路。( ) (满分:3)
A. 错误
B. 正确
9.单相半波可控整流电路具有线路简单的优点,其缺点是调整不方便。( ) (满分:3)
A. 错误
B. 正确
10.逆变电路是把直流电逆变成交流电的电路。( ) (满分:3)
A. 错误
B. 正确
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