东大21年1月考试《模拟电子技术基础ⅠX》（作业考核线上）A卷

Andy老师

东北大学继续教育学院
模拟电子技术基础IX试卷（作业考核线上2）A卷（共6页）
东北大学作业QQ 515224986
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总分题号一二三四五六七八九十
得分
一、(40分)（选一个正确答案填入括号里，每题2分）
1.P型半导体是在本征半导体中加入下面物质后形成的。（）
A、电子B、空穴C、三价元素D、五价元素
2.稳压管的稳压区是其工作在（）。
A、正向导通B、反向截止C、反向击穿
3.二极管电路如图1所示，设二极管均为理想的，则电压Uab为（）。
图1
A、12VB、6VC、0VD、+6V
4.在放大电路中测得一只三极管三个电极的电位分别为9V、6.2V和6V，则这只三极管属于（）。
A、硅PNP型B、硅NPN型C、锗PNP型D、锗NPN型
5.集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（）。
A、减小温漂B、增大放大倍数C、提高输入电阻    东大作业答案QQ 515224986
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6.差动式放大电路的差模输入信号是指两个输入端的输入信号的（），
A、差B、和C、平均值
7.差动式放大电路的共模输入信号是指两个输入端的输入信号的（）。
A、差B、和C、平均值
8.按要求选择合适的电路构成两级放大电路。
要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000，第一级应采用（）。
A、共射电路B、.共集电路C、共基电路
9.按要求选择合适的电路构成两级放大电路。要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000，第二级应采用（）。
A、共射电路B、.共集电路C、共基电路
10.按要求选择合适的电路构成两级放大电路。
要求输入电阻为100kΩ～200kΩ，电压放大倍数数值大于100，第一级应采用（）。
A、共射电路B、.共集电路C、共基电路
11.按要求选择合适的电路构成两级放大电路。
要求输入电阻为100kΩ～200kΩ，电压放大倍数数值大于100，第二级应采用（）。
A、共射电路B、.共集电路C、共基电路
12.根据要求选择合适的反馈组态。
欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入（）。
A、电压串联负反馈B、电压并联负反馈
C、电流串联负反馈D、电流并联负反馈
13.根据要求选择合适的反馈组态。
欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入（）。
A、电压串联负反馈B、电压并联负反馈
C、电流串联负反馈D、电流并联负反馈
14.根据要求选择合适的反馈组态。
欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入。
A、电压串联负反馈B、电压并联负反馈
C、电流串联负反馈D、电流并联负反馈
15.根据要求选择合适的反馈组态。
欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（）。
A、电压串联负反馈B、电压并联负反馈
C、电流串联负反馈D、电流并联负反馈
16.已知电路如图2所示。T1和T2管的饱和管压降│UCES│＝3V，VCC＝15V，RL＝8Ω。电路中D1和D2管的作用是消除（）。
图2
A、饱和失真B、截止失真C、交越失真
17.已知电路如图2所示。T1和T2管的饱和管压降│UCES│＝3V，VCC＝15V，RL＝8Ω。静态时，晶体管发射极电位UEQ（）。
A、＞0VB、＝0VC、＜0V
18.已知电路如图2所示。T1和T2管的饱和管压降│UCES│＝3V，VCC＝15V，RL＝8Ω。最大输出功率POM（）。
A、≈28WB、＝18WC、＝9W
19.已知电路如图2所示。T1和T2管的饱和管压降│UCES│＝3V，VCC＝15V，RL＝8Ω。当输入为正弦波时，若R1虚焊，即开路，则输出电压（）。
A、为正弦波B、仅有正半波C、仅有负半波
20.已知电路如图2所示。T1和T2管的饱和管压降│UCES│＝3V，VCC＝15V，RL＝8Ω。若D1虚焊，则T1管（）。
A、可能因功耗过大烧坏B、始终饱和C、始终截止
二、(10分)（每题1分）
1.半导体中的空穴是带正电的离子。（）
2.截止失真和饱和失真不可能同时产生。（）
3.稳压管只能工作在反向击穿区。（）
4.最大不失真输出电压幅值为放大电路的直流参数。（）
5.差动式放大电路的共模抑制比KCMR越大，说明电路的交流放大倍数越大。（）
6.运算放大器的开环应用是指运算放大器的输出无负载。（）
7.为满足振荡的相位条件，RC文氏桥振荡器中的放大器的输出信号与输入信号之间的相位差应为180゜。（）
8.为了有效的抑制零点漂移，集成运算放大器通常采用阻容耦合的连接方式。（）
9.为了保证二极管正向导通，可以将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端。（）
10.放大电路引入负反馈的主要目的是为了增强电路的放大能力。（）
三、（10分）半导体器件的分析。(每题5分)
1、电路如图3所示，设输入电压ui是幅值为12V的正弦波，试分析D1，D2工作状态，并画出uo的波形。（设二极管D1，D2为理想二级管）。
2、根据图4所示的晶体管型号及实测对地直流电压数据（设直流电压表的内阻非常大），分析：(1)管子是锗管还是硅管？(2)管子的工作状态（放大、截止、饱和或损坏）。
四、多级放大电路的分析与计算。(15分)
两级放大电路如图5所示。已知β1＝25，β2＝100，UBE1＝0.7V，UBE2＝0.2V。求：(1)为了使ΔUs＝0时，UC2＝4V，Rb的阻值应为多大？(2)Rb选用(1)中确定的阻值，计算Aus＝？(3)若电阻Rb与T1管基极断开，两管的集电极静态电位Uc1和Uc2各是多少？
五、单管放大电路的分析与计算。(15分)
电路如图6所示，已知VCC=12V，Rbl=40kΩ，Rb2=20kΩ，Rc=RL=2kΩ，UBE=0.7V，β=50，Re=2kΩ，UCES≈0V。求：(1)计算静态工作点；(2)随着输入信号的增大，输出信号也增大，若输出波形出现失真，则首先出现的是截止失真还是饱和失真?(3)计算和。
六、集成运放的分析与计算。(10分)
电路如图7所示，设UI1=5V，UI2=5.1V，计算理想情况下，（1）当合上电源4.9S瞬间UO1、UO2、UO3、UO各点对地电压为多少？（2）当合上电源5.1S瞬间UO1、UO2、UO3、UO各点对地电压为多少？
图7

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