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北航《模拟电路》在线作业三
试卷总分:100 测试时间:--
一、单选题(共15道试题,共60分。)
1.在本征半导体中加入( )元素可形成N型半导体。
A. 五价
B. 四价
C. 三价
满分:4分
2.一NPN型三极管,三极电位分别有Vc=3.3V,VE=3V,VB=3.7V,则该管工作在( )
A. 饱和区
B. 截止区
C. 放大区
D. 击穿区
满分:4分
3.用直流电压表测得放大电路中的三极管的三个电极电位分别是U1=2.8V ,U2=2.1V ,U3=7V , 那么U3=7V的那个极是( ).
A. 发射极
B. 基极
C. 集电极
满分:4分
4.用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re,将使电路的( )
A. 差模放大倍数数值增大
B. 抑制共模信号能力增强
C. 差模输入电阻增大
满分:4分
5.差分放大电路中,当vi1=300mV,vi2=200mV时,分解为共模输入信号为
A. 500mV
B.
100mV
C. 250mV
D. 50mV
满分:4分
6.集成运放电路采用直接耦合方式是因为( )
A. 可获得很大的放大倍数
B. 可使温漂小
C. 集成工艺难于制造大容量电容
满分:4分
7.
设乙类互补功放电路的电源电压为正负12V,负载电路RL=8欧,UCES=0V,则对每个功率管的要求为()
A. 管耗PCM>=9W,耐压UBR(CEO)>=12V
B. 管耗PCM>=1.8W,耐压UBR(CEO)>=12V
C. 管耗PCM>=9W,耐压UBR(CEO)>=24V
D.
管耗PCM>=1.8W,耐压UBR(CEO)>=24V
满分:4分
8.有一晶体管的极限参数:PCM=150mW,ICM=100mA,U(BR)CEO=30V。若工作电压UCE=1V,则工作电流IC不得超过( )mA.
A. 15
B. 100
C. 30
D. 150
满分:4分
9.当负载电阻RL = 1kΩ时,电压放大电路输出电压比负载开路时输出电压减少20%,该放大电路的输出电阻R。()。
A. 0.25 kΩ
B. 0.5 kΩ
C. 1kΩ
D. 1.5kΩ
满分:4分
10.某放大电路输入电阻为Ri=10kΩ,如果用1μA电流源驱动,放大电路短路输出电流为10mA,开路输出电压为10V。求放大电路接4kΩ负载电阻时的电流增益AI()。
A. 1000
B. 800
C. 2000
满分:4分
11.温度升高,晶体管的管压降|UBE|( )
A. 升高
B. 降低
C. 不变
满分:4分
12.
放大电路的负反馈是使()
A. 净输入量增大
B. 输出量增大
C. 放大倍数增大
D. 宽带增大
满分:4分
13.若要组成输出电压可调、最大输出电流为3A的直流稳压电源,则应采用( )
A. 电容滤波稳压管稳压电路
B. 电感滤波稳压管稳压电路
C. 电容滤波串联型稳压电路
D. 电感滤波串联型稳压电路
满分:4分
14.负反馈放大器的A=103,若要AF=102,则反馈系数F=( )
A. 0.009
B. 0.09
C. 0.9
D. 9
满分:4分
15.本征半导体中的自由电子浓度( )空穴浓度
A. 大于
B. 小于
C. 等于
满分:4分
二、判断题(共10道试题,共40分。)
1.若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。( )
A. 错误
B. 正确
满分:4分
2.直流电源是一种能量转换电路,它将交流能量转换为直流能量。( )
A. 错误
B. 正确
满分:4分
3.各种滤波电路的通带放大倍数的数值均大于1。( )
A. 错误
B. 正确
满分:4分
4.结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。( )
A. 错误
B. 正确
满分:4分
5.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。( )
A. 错误
B. 正确
满分:4分
6.在输入信号作用时,偏置电路改变了各放大管的动态电流。( )
A. 错误
B. 正确
满分:4分
7.电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;( )
A. 错误
B. 正确
满分:4分
8.现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数应为10000。( )
A. 错误
B. 正确
满分:4分
9.有源负载可以增大放大电路的输出电流。( )
A. 错误
B. 正确
满分:4分
10.只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。( )
A. 错误
B. 正确
满分:4分
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