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东北大学17秋学期《连铸坯凝固与质量控制》在线作业2参考答案

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发表于 2017-9-13 13:49:40 | 显示全部楼层 |阅读模式
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17秋学期《连铸坯凝固与质量控制》在线作业2
一、单选题:【10道,总分:70分】东北大学


1. 方坯结晶器传热与板坯结晶器传热有什么不同,下面分析哪一种是正确的?           (满分:7)
    A. 方坯结晶器传热与板坯结晶器传热,扳坯结晶器宽面更容易不均匀;
    B. 方坯结晶器传热与板坯结晶器传热,方坯结晶器换热强度更大;
    C. 方坯结晶器传热与板坯结晶器传热,板坯结晶器的液面释放热量更大;
2. 适当降低浇铸温度是调整凝固界面前沿成分过冷重要工艺措施,理由是下面的那一分析?          (满分:7)
    A.  凝固界面前沿温度降低;
    B.  凝固界面前沿成分变化;
    C.  凝固界面前沿温度梯度减小;
    D.
3.   使用末端电磁搅拌能有效应消除“小铸锭”凝固,获得改善铸坯中心偏析的良好冶金效果,此种论述正确吗?          (满分:7)
    A.  论述正确;
    B. 论述不正确;
    C.
    D.
4. 连铸坯结晶器凝固传热过程下面哪一种分析是正确的?          (满分:7)
    A. 结晶器凝固传热过程中90%以上热量是通过结晶器的冷却水带走的;
    B. 结晶器凝固传热过程中30%以上热量是通过结晶器液面释放的;
5. 铸坯的中心裂纹缺陷一般情况下在轧制过程中都可以焊合,因此中心裂纹的危害不要过分考虑,此种分析是否正确?          (满分:7)
    A. 正确;
    B. 不正确;
    C.
    D.
6. 结晶器电磁搅拌对铸坯凝固速度的影响是下面哪一种结论?          (满分:7)
    A. 凝固速度减小;
    B. 凝固速度增加;
    C. 凝固速度不变;
7. 减轻或消除铸坯中心缩孔缺陷的最主要的工艺措施是二冷减弱,增加中心等轴晶,分析是否正确?          (满分:7)
    A. 分析正确;
    B. 分析不正确;
    C.
    D.
8. 高碳钢是单相合金的凝固特点,由于容易出现较大的成分过冷,因此铸坯中心疏松和偏析比较严重,连铸工艺中要采取有力措施尽可能减轻,论述是否正确?          (满分:7)
    A.  论述不正确;
    B.  论述正确;
    C.
    D.
9. 二冷传热过程中铸坯的表面温度对传热过程中的换热系数的影响是下面哪一种叙述?           (满分:7)
    A. 铸坯的表面温度越高换热系数越大;
    B. 铸坯的表面温度越低换热系数越小;
    C. 换热系数随铸坯的表面温度的降低而升高;
10. 铸坯凝固过程出现宏观偏析,没什么大问题,通过轧制时的高温长时间加热都可以减轻或消除,分析是否正确?          (满分:7)
    A. 分析不正确;
    B. 分析正确;
    C.
    D.
二、多选题:【6道,总分:30分】

1. 自发形核在实际金属凝固过程是不可能的,下面哪种分析是正确的?          (满分:5)
    A. 实际金属不可能非常纯净,在凝固过程中杂质要起作用;
    B. 计算表明实际金属自发形核需要的过冷度非常大;
    C. 实际金属熔点高;
    D.
2. 铸坯内部的裂纹缺陷经常与下面那些缺陷一起发生?          (满分:5)
    A. 偏析缺陷;
    B. 疏松缺陷;
    C. 夹杂物缺陷;
    D.
3. 铸坯表面纵向“凹陷”产生的规律下面哪些描述是正确的?          (满分:5)
    A. 铸坯表面纵向“凹陷”多数出现在近角部;
    B. 铸坯表面纵向“凹陷”的底部经常有裂纹发生;
    C. 铸坯表面纵向“凹陷”经常会与夹杂物结合在一起;
    D.
4. 细化铸坯内部的枝晶凝固组织的主要工艺措施是下列哪些论述是正确的?          (满分:5)
    A. 应用电磁搅拌技术,增加钢水的运动;
    B. 增加凝固界面前沿的成分过冷;
    C. 提高铸坯凝固速度;
    D.
5. 连铸坯中间裂纹的产生对于铸坯质量的影响很大,主要原因是下面哪几种?          (满分:5)
    A. 二冷某一段的回温过高;
    B. 二冷的设备存在问题;
    C. 拉坯速度过慢;
    D. 钢水纯净度低;
6. 共晶合金在凝固时形核过程“搭桥”机理的依据是下面哪些分析?          (满分:5)
    A. 一相析出对另一相创造了良好的浓度条件;
    B. 两相互为良好的晶格对应关系;
    C. 一相绕过另一相生长需要最低能量;
    D.
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