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17秋学期《普通物理》在线作业1
一、单选题:【20道,总分:100分】
1.题面为图片 (满分:5)
A.
B.
C.
D.
2.将一个金属球放进两无限大分别带等量正负电荷的导体平板之间。对导体平板中的电场强度和电势下述说法正确的是: (满分:5)
A. 导体平板中的电场强度与金属球的位置有关,而电势和金属球的位置无关
B. 导体平板中的电场强度与金属球的位置无关,而电势和金属球的位置有关
C. 导体平板中的电场强度与金属球的位置无关,而电势和金属球的位置无关
D. 导体平板中的电场强度与金属球的位置有关,而电势和金属球的位置有关
3.题面为图片 (满分:5)
A.
B.
C.
D.
4. (满分:5)
A. A
B. B
C. C
D. D
5. (满分:5)
A. A
B. B
C. C
D. D
6. (满分:5)
A. 内能是气体状态的函数和对一定量的理想气体内能只是温度的单值函数
B. 只因为内能是气体状态的函数
C. 只因为对一定量的理想气体内能只是温度的单值函数
D. 以上说法都不正确
7. (满分:5)
A. A
B. B
C. C
D. D
8.一圆形导体线圈,在匀强磁场中运动有下列几种情况:(1)线圈沿磁场方向平移。 (2)线圈沿垂直于磁场的方向平移。(3)线圈以自身的直径为轴转动,轴与磁场方向平行。(4)线圈以自身的直径为轴转动,轴与磁场方向垂直。以上情况能产生感应电流的是 (满分:5)
A. 都能产生感应电流
B. (2)、(3)、(4)能产生感应电流
C. (2)、(3)能产生感应电流
D. 只有(4)能产生感应电流
9.一个点电荷放在球形高斯面的球心处,讨论下列情况下电通量的变化情况: (1)用一个和此球形高斯面相切的正立方体表面来代替球形高斯面。 (2)点电荷离开球心但还在球面内。 (3)有另一个电荷放在球面外。 (4)有另一电荷放在球面内。以上情况中,能引起球形高斯面的电通量发生变化的是: (满分:5)
A. (1),(2),(3)
B. (2),(3),(4)
C. (3),(4)
D. (4)
10.热力学第二定律指出了热力学过程进行的方向性和条件,下列表述中正确的是 (满分:5)
A. 对任何过程都只能向熵增加的方向进行
B. 对孤立系统,自发过程总是向系统熵增加的方向进行
C. 对孤立系统,任何过程总是向系统熵增加的方向进行
D. 绝热过程一定向熵增加的方向进行
11.某半径为R的孤立导体球,取无穷远为电势的零点时导体球的电势为U,则该导体球上所带电荷的电量为Q,导体球表面的电荷面密度为 σ 。则有: (满分:5)
A. U = 4πε0RU;σ = ε0U / R
B. U = 4πε0U;σ = ε0U / R
C. U = 4πε0U;σ = 2ε0U / R
D. U = 4πε0RU;σ = 2ε0U / R
12.孤立的带电导体,外表面各处的电荷面密度与表面处的曲率有关: (满分:5)
A. 导体表面凸出的地方曲率越大,电荷面密度就越小。导体表面较平坦的地方曲率小,电荷面密度也大
B. 导体表面凸出的地方曲率越大,电荷面密度就越大。导体表面较平坦的地方曲率小,电荷面密度也小
C. 导体表面凸出的地方曲率越小,电荷面密度就越大。导体表面较平坦的地方曲率大,电荷面密度也小
D. 导体表面凸出的地方曲率越小,电荷面密度就越小。导体表面较平坦的地方曲率大,电荷面密度也小
13.题面为图片 (满分:5)
A.
B.
C.
D.
14.用公式DU=νCV DT (式中CV为定容摩尔热容量,ν为气体摩尔数)计算理想气体内能增量时,该式: (满分:5)
A. 只适用于准静态的等容过程
B. 只适用于一切等容过程
C. 只适用于一切准静态过程
D. 适用于一切始末态为平衡态的过程
15.感生电场是变化的磁场产生的, 把感生电场与静电场相比较可知: (满分:5)
A. 它们都不能对场中运动的的电荷产生力的作用
B. 感生电场不能对场中的电荷产生力的作用
C. 只有静电场不能对场中的运动电荷产生力的作用
D. 它们都能对场中的电荷产生力的作用
16.题面为图片 (满分:5)
A.
B.
C.
D.
17.题面为图片 (满分:5)
A. 不动
B. 转动
C. 向左移动
D. 向右移动
18.对在电磁学中讨论过的两种场:静电场和恒定磁场。下面的说法正确的是 (满分:5)
A. 静电场是保守场。恒定磁场也是保守场
B. 静电场不是保守场。恒定磁场是保守场
C. 静电场不是保守场。恒定磁场也不是保守场
D. 静电场是保守场。恒定磁场不是保守场
19.题面为图片 (满分:5)
A. 是A®B
B. 是A®C.
C. 是A®D
D. 既是A®B,也是A® C ,两者一样多
20. (满分:5)
A. A
B. B
C. C
D. D
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