1.在固定式偏置电路中,若偏置电阻RB的值增大了,则静态工作点Q将( )。 (满分:3)
A. 上移
B. 下移
C. 不动
D. 上下来回移动
2.为了减小放大电路的输出电阻,应引入( )负反馈。 (满分:3)
A. 电压
B. 电流
C. 串联
D. 并联
3.变容二极管在电路中使用时,其PN结是( )。 (满分:3)
A. 正向运用
B. 反向运用
C. 不确定
4.UGS=0V时,不能够工作在恒流区的场效应管有( )。 (满分:3)
A. 结型管
B. 增强型MOS管
C. 耗尽型MOS管
5.稳压二极管是利用PN结的( )。 (满分:3)
A. 单向导电性
B. 反向击穿性
C. 电容特性
6.改变输入电阻和输出电阻,应引入( )。 (满分:3)
A. 直流负反馈
B. 交流负反馈
C. 正反馈
7.PN结反向击穿电压的数值增大,小于击穿电压,( )。 (满分:3)
A. 其反向电流增大
B. 其反向电流减小
C. 其反向电流基本不变
8.为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用( ) (满分:3)
A. 共射放大电路
B. 共集放大电路
C. 共基放大电路
9.使用稳压管组成稳压电路时,应使外加电源的正极接管子的( ),电源的负极接( ),以保证稳压管工作在反向击穿区,稳压管应与负载电阻( ),由于稳压管两端电压变化量很小,使输出电压比较稳定。 (满分:3)
A. N区 P区 串联
B. N区 P区 并联
C. P区 N区 串联
D. P区 N区 并联
10.三极管实现放大作用的内部结构条件是:发射区掺杂浓度( ),基区( ),且掺杂浓度( )。 (满分:3)
A. 很高 很薄 很低
B. 很低 很薄 很高
C. 很高 很厚 很低
D. 很低 很厚 很高
二、多选题:
1.关于集成运算放大器,下列说法正确的是( ) (满分:4)
A. 集成运放是一种高电压放大倍数的直接耦合放大器
B. 集成运放只能放大直流信号
C. 希望集成运放的输入电阻大,输出电阻小
D. 集成运放的CMRR大
2.功率放大电路与电流放大电路的区别是( ) (满分:4)
A. 前者比后者电流放大倍数大
B. 前者比后者效率高
C. 在电源电压相同的情况下,前者比后者的输出功率大
3.为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器,应选用( )滤波电路;为了使滤波电路的输出电阻足够小,保证负载电阻变化时滤波特性不变,应选用( )滤波电路 。 (满分:4)
A. 带阻
B. 带通
C. 低通
D. 有源
4.放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( ),而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( )。 (满分:4)
A. 耦合电容和旁路电容的存在
B. 半导体管极间电容和分布电容的存在
C. 半导体管的非线性特性
D. 放大电路的静态工作点不合适
5.在选择功放电路中的晶体管时,应当特别注意的参数有( )。 (满分:4)
A. ICM
B. ICBO
C. PCM
6.要求输入电阻大于10MΩ,电压放大倍数大于300,第一级应采用( ),二级应采用( )。 (满分:4)
A. 共源电路
B. 共集电路
C. 共基电路
D. 共射电路
7.欲实现Au=-100的放大电路,应选用( );欲将方波电压转换成三角波电压,应选用( )。 (满分:4)
A. 反相比例运算电路
B. 同相比例运算电路
C. 积分运算电路
D. 微分运算电路
8.UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有( )。 (满分:4)
A. 结型管
B. 增强型MOS管
C. 耗尽型MOS管
9.功率放大电路与电压放大电路的区别是( )。 (满分:4)
A. 前者比后者电源电压高
B. 前者比后者电压放大倍数数值大
C. 前者比后者效率高
D. 在电源电压相同的情况下,前者比后者的最大不失真输出电 压大
10.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( ) (满分:4)
A. 电阻阻值有误差
B. 晶体管参数的分散性
C. 晶体管参数受温度影响
D. 电源电压不稳定
三、判断题:
1.当OCL电路的最大输出功率为1W时,功放管的集电极最大耗散功率应大于1W。( ) (满分:3)
A. 错误
B. 正确
2.放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;( ) (满分:3)
A. 错误
B. 正确
3.各种滤波电路的通带放大倍数的数值均大于1。( ) (满分:3)
A. 错误
B. 正确
4.运放的输入失调电流是两端电流之差。( ) (满分:3)
A. 错误
B. 正确
5.在功率放大电路中,输出功率愈大,功放管的功耗愈大。( ) (满分:3)
A. 错误
B. 正确
6.电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;( ) (满分:3)
A. 错误
B. 正确
7.互补输出级应采用共集或共漏接法。( ) (满分:3)
A. 错误
B. 正确
8.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。( ) (满分:3)
A. 错误
B. 正确
9.若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。( ) (满分:3)
A. 错误
B. 正确
10.只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。( ) (满分:3)
A. 错误
B. 正确
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