电子科技大学17秋《测试与传感技术》在线作业1
17秋《测试与传感技术》在线作业1试卷总分100得分0
一、单选题(共20道试题共100分)
1.霍尔元件不等位电势产生的主要原因不包括（）
A.霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位上
B.半导体材料不均匀造成电阻率不均匀或几何尺寸不均匀
C.周围环境温度变化
D.激励电极接触不良造成激励电流不均匀分配
满分：5分
2.通常用差动变压器传感器测量（）。
A.位移
B.振动
C.加速度
D.厚度
满分：5分
3.当光电管的阳极和阴极之间所加电压一定时，光通量与光电流之间的关系称为光电管的（）。
A.伏安特性
B.光照特性
C.光谱特性
D.频率特性
满分：5分
4.若将计算机比喻成人的大脑，那么传感器则可以比喻为()。
A.眼睛
B.感觉器官
C.手
D.皮肤
满分：5分
5.衡量传感器静态特性的指标不包括（）。
A.线性度
B.灵敏度
C.频域响应
D.重复性
满分：5分
6.电容式传感器做成差动结构后，灵敏度提高了（）倍
A.1
B.2
C.3
D.0
满分：5分
7.产生应变片温度误差的主要原因有（）。
A.电阻丝有温度系数
B.试件与电阻丝的线膨胀系数相同
C.电阻丝承受应力方向不同
D.电阻丝与试件材料不同
满分：5分
8.磁电式传感器测量电路中引入积分电路是为了测量（）。
A.位移
B.速度
C.加速度
D.光强
满分：5分
9.用热电阻测温时，热电阻在电桥中采用三线制接法的目的是（）。
A.接线方便
B.减小引线电阻变化产生的测量误差
C.减小桥路中其它电阻对热电阻的影响
D.减小桥路中电源对热电阻的影响
满分：5分
10.通常用应变式传感器测量()。
A.温度
B.密度
C.加速度
D.电阻
满分：5分
11.一阶传感器输出达到稳态值的90%所需的时间是（）。
A.延迟时间
B.上升时间
C.峰值时间
D.响应时间
满分：5分
12.影响金属导电材料应变灵敏系数K的主要因素是（）。
A.导电材料电阻率的变化
B.导电材料几何尺寸的变化
C.导电材料物理性质的变化
D.导电材料化学性质的变化
满分：5分
13.电容式传感器通常用来测量（）。
A.交流电流
B.电场强度
C.重量
D.位移
满分：5分
14.两个压电元件相并联与单片时相比说法正确的是（D）
A.并联时输出电压不变，输出电容是单片时的一半
B.并联时输出电压不变，电荷量增加了2倍
C.并联时电荷量增加了2倍，输出电容为单片时2倍
D.并联时电荷量增加了一倍，输出电容为单片时的2倍
满分：5分
15.当变间隙式电容传感器两极板间的初始距离d增加时，将引起传感器的（）。
A.灵敏度会增加
B.灵敏度会减小
C.非线性误差增加
D.非线性误差不变
满分：5分
16.石英晶体和压电陶瓷的压电效应对比正确的是（）
A.压电陶瓷比石英晶体的压电效应明显，稳定性也比石英晶体好
B.压电陶瓷比石英晶体的压电效应明显，稳定性不如石英晶体好
C.石英晶体比压电陶瓷的压电效应明显，稳定性也比压电陶瓷好
D.石英晶体比压电陶瓷的压电效应明显，稳定性不如压电陶瓷好
满分：5分
17.磁电式传感器测量电路中引入微分电路是为了测量（）
A.位移
B.速度
C.加速度
D.光强
满分：5分
18.压电石英晶体表面上产生的电荷密度与（）。
A.晶体厚度成反比
B.晶体面积成正比
C.作用在晶片上的压力成正比
D.剩余极化强调成正比
满分：5分
19.制造霍尔元件的半导体材料中，目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟，其原因是这些（）。
A.半导体材料的霍尔常数比金属的大
B.半导体中电子迁移率比空穴高
C.半导体材料的电子迁移率比较大
D.N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件
满分：5分
20.当变隙式电容传感器的两极板极间的初始距离d0增加时，将引起传感器的（）
A.灵敏度K0增加
B.灵敏度K0不变
C.非线性误差增加
D.非线性误差减小
满分：5分
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