大工20春《模拟电子技术》在线作业1
(单选题)1:已知某晶体管处于放大状态,测得其三个极的电位分别为1.3V、2V和6V,则6V所对应的电极为()。A:发射极
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B:集电极
C:基极
D:无法确定
正确答案:
(单选题)2:关于BJT的结构特点说法错误的是()。
A:基区很薄且掺杂浓度很低
B:发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
C:基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
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D:集电区面积大于发射区面积
正确答案:
(单选题)3:测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V,则该管为()。
A:NPN型锗管
B:PNP型锗管
C:PNP型硅管
D:NPN型硅管
正确答案:
(单选题)4:在共射、共集和共基三种基本放大电路中,输出电阻最小的是()放大电路。
A:共射极
B:共集电极
C:共基极
D:不确定
正确答案:
(单选题)5:引起共射极放大电路输出波形出现饱和失真的主要原因是()。
A:输入电阻太小
B:静态工作点偏低
C:静态工作点偏高
D:输出电阻太小
正确答案:
(单选题)6:在掺杂半导体中,少子的浓度受()的影响很大。
A:温度
B:掺杂工艺
C:杂质浓度
D:晶体缺陷
正确答案:
(单选题)7:在共集电极放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输入输出电压相位()。
A:同相
B:反相
C:相差90°
D:不确定
正确答案:
(单选题)8:在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生()。
A:饱和失真
B:截止失真
C:交越失真
D:线性失真
正确答案:
(单选题)9:晶体管能够放大的外部条件是()。
A:发射结正偏，集电结反偏
B:发射结正偏，集电结正偏
C:发射结反偏，集电结正偏
D:发射结反偏，集电结反偏
正确答案:
(单选题)10:对PNP型晶体管来说,当其工作于放大状态时,()极的电位最低。
A:发射极
B:基极
C:集电极
D:不确定
正确答案:
(判断题)11:射极输出器无放大功率的能力。
A:对
B:错
正确答案:
(判断题)12:温度升高,晶体管输入特性曲线右移。
A:对
B:错
正确答案:
(判断题)13:二极管是非线性器件。
A:对
B:错
正确答案:
(判断题)14:对于电压放大器来说,输出电阻越小,电路的带负载能力越强。
A:对
B:错
正确答案:
(判断题)15:共射放大电路中信号从射极输入,由集电极输出。
A:对
B:错
正确答案:
(判断题)16:BJT有三个极、三个区、三个PN结。
A:对
B:错
正确答案:
(判断题)17:阻容耦合多级放大电路不能抑制零点漂移。
A:对
B:错
正确答案:
(判断题)18:半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。
A:对
B:错
正确答案:
(判断题)19:当环境温度升高时,二极管的死区电压将升高。
A:对
B:错
正确答案:
(判断题)20:N型半导体带正电。
A:对
B:错
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